型号: IRFW640BTM_FP001
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 18 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.145 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 110 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.13 W
上升时间: 145 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 145 ns
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：段小姐
电话：18818700606
Q Q:
联系人：李原装
电话：13246723227
Q Q:
联系人：陈伟
电话：18165719805
Q Q:
