型号: IRG7CH30K10EF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 10A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.56V @ 15V，10A
输入类型： 标准
栅极电荷： 4.8nC
25°C 时 Td（开/关）值： 10ns/90ns
测试条件： 600V，10A，22 欧姆，15V
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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