型号:  IRGB4059DPBF

功能描述:  Infineon IRGB4059DPBF N沟道 IGBT, 8 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  8A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  16A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.05V @ 15V，4A

功率 - 最大值：  56W

开关能量：  35µJ（开），75µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  9nC

25°C 时 Td（开/关）值：  25ns/65ns

测试条件：  400V，4A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  55ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

最大连续集电极电流：  8 A

最大集电极-发射极电压：  600 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

封装类型：  TO-220AB

通道类型：  N

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

长度：  10.66mm

宽度：  4.82mm

高度：  9.02mm

尺寸：  10.66 x 4.82 x 9.02mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs