型号:  IRGB6B60KDPBF

功能描述:  N-Channel 600 V 18 A Flange Mount Insulated Gated Bipolar Transistor - TO-220AB

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO220COPAK

IGBT 类型：  NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：  600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  13A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  26A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，5A

功率 - 最大值：  90W

开关能量：  110µJ（开），135µJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  18.2nC

25°C 时 Td（开/关）值：  25ns/215ns

测试条件：  400V，5A，100 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  70ns

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

IGBT类型：  NPT

电压-集射极击穿（最大值）：  600V

电流-集电极（Ic）（最大值）：  13A

脉冲电流-集电极(Icm)：  26A

不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：  2.2V @ 15V，5A

功率-最大值：  90W

25°C时Td（开/关）值：  25ns/215ns

供应商器件封装：  TO-220AB

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs