型号: IRGR2B60KDTRRPBF
功能描述: IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
制造商: Infineon / IR
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-252-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 6.3 A
Pd-功率耗散: 35 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: RC
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: SP001533092
单位重量: 340 mg
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