型号: IRHE3230
功能描述: MOSFET
制造商:
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 25 W
封装 / 箱体: LLCC-18
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Hex Drain Octal Source Dual Gate
下降时间: 45 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 60 ns (Max)
典型接通延迟时间: 25 ns (Max)
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