型号: IRHN3250
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin SMD-1
制造商: international rectifier
包装： 3SMD-1
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 200 V
最大连续漏极电流： 26 A
RDS -于： 110@12V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 33(Max) ns
典型关闭延迟时间： 140(Max) ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
剂量水平： 300
抗辐射： Yes
标准包装： Bulk
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： SMD
包装高度： 3.07(Max)
最大功率耗散： 150000
渠道类型： N
最大漏源电阻： 110@12V
最低工作温度： -55
最大漏源电压： 200
每个芯片的元件数： 1
包装宽度： 11.55(Max)
供应商封装形式： SMD-1
包装长度： 16(Max)
PCB： 3
最大连续漏极电流： 26
引脚数： 3
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