型号: IRHNA54160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 125 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 75 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱小姐
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Q Q:
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Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
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联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：杨宇豪
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Q Q:
联系人：滕
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Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
