型号: IRHNA54160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 125 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 75 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13590290444
Q Q:
联系人：林小姐
电话：18664317510
Q Q:
联系人：柳林
电话：13510650010
Q Q:
