型号: IRHNA57260SE
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 53.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 125 ns
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：夏永
电话：139-26583967
Q Q:
联系人：刘涛
电话：15389085817
Q Q:
