型号: IRHNA58Z60
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 125 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 80 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：李木钦
电话：15919889984
Q Q:
联系人：客服
电话：400-8852030
Q Q:
联系人：林艳，朱先生
电话：13480719817
Q Q:
