型号: IRHNA58Z60
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 125 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 80 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
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