型号: IRHNA593160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 47 A
Vds-漏源极击穿电压: - 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 170 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 100 ns
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:石满满
电话:13051098960
Q Q:
联系人:小柯
电话:13332931905
联系人:蔡永记
电话:18617195508
联系人:刘子书
联系人:廖小姐
电话:13360063783
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:庆晨
电话:15322247851
Q Q:
联系人:火山
Q Q:
联系人:李嘉良
电话:18607632774