型号: IRHNA8160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 51 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 130 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 150 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 150 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：彭
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：13902432378
Q Q:
联系人：段小姐
电话：18818700606
Q Q:
