型号: IRHNA8160
功能描述: MOSFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 51 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMD-3
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 130 ns (Max)
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 150 ns (Max)
典型关闭延迟时间: 150 ns (Max)
典型接通延迟时间: 35 ns (Max)
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：夏
电话：13682303540
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
