型号:  IRLD024PBF

功能描述:  MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  HVMDIP-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  18 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.3 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  3.37 mm

长度:  6.29 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  3.7 S

下降时间:  41 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  110 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23 ns

典型接通延迟时间:  11 ns