型号:  IRLHS6376TR2PBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

设计资源：  IRLHS6376TR2PBF Saber Model IRLHS6376TR2PBF Spice Model

特色产品：  Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs

标准包装：  1

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 阵列

系列：  HEXFET®

包装：  剪切带（CT）

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.6A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  63 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  270pF @ 25V

功率 - 最大值：  1.5W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：  6-PQFN（2x2）

其它名称：  IRLHS6376TR2PBFCT