型号:  IRLML6302GTRPBF

功能描述:  Single P-Channel 20 V 540 mW 3.6 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - Micro3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  HEXFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  780mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.7V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  3.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  97pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  540mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  600 毫欧 @ 610mA，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT23

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  0.78A

漏源电压（Vdss）：  20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  3.6nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  97pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  15V

供应商器件封装：  Micro3™/SOT-23

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs