型号:  IRLR6225PBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  DPAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  4 毫欧 @ 21A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.1V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  72nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3770pF @ 10V

功率耗散（最大值）：  63W（Tc）

工作温度：  -50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  DPAK

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  100 A

最大漏源电压：  20 V

最大漏源电阻值：  5.2 m0hms

最大栅阈值电压：  1.1V

最小栅阈值电压：  0.5V

最大栅源电压：  -12 V、+12 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  63 W

最低工作温度：  -55 °C

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.39mm

宽度：  6.22mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  48 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  3770 pF@ 10 V

典型关断延迟时间：  63 ns

典型接通延迟时间：  9.7 ns

高度：  2.39mm

最高工作温度：  +150 °C

长度：  6.73mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs