型号:  IRLU014PBF

功能描述:  Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  7.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4V，5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  8.4nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  400pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±10V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  200 毫欧 @ 4.6A，5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

封装形式Package：  TO-251-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  7.7A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  200mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs