型号: IRS2001PBF..
功能描述:
制造商:
驱动芯片类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
模块配置: 高压侧/低压侧
输出电流 峰值: 600mA
输入延迟: 160ns
输出延时: 150ns
电源电压范围: 10V 到 20V
封装类型: 双列直插
针脚数: 8
工作温度范围: -40°C 到 +125°C
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
偏移电压: 200V
功耗, Pd: 1000mW
器件标号: 2001
封装类型: DIP
延时: 50ns
最大输出电流: 270mA
电源电压 最大: 20V
电源电压 最小: 10V
表面安装器件: 通孔安装
输出电压: 220V
输出电压 最大: 20V
输出电压 最小: 10V
输出电流: 130mA
输出电流 + 最大: 130mA
输出通道数字: 2
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：樊勉
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Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
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联系人：连
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Q Q:
联系人：王
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Q Q:
联系人：张德胜
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Q Q:
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Q Q:
