型号:  IS61LPS12836A-200TQLI

功能描述:   SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v

制造商:  ISSI

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  72

格式 - 记忆：  RAM

Memory 型 ：  SRAM - Synchronous

内存大小 ：  4M (128K x 36)

速度 ：  200MHz

接口 ：  Parallel (Byte-wide)

- 电源电压：  3.135 V ~ 3.465 V

操作温度 ：  -40°C ~ 85°C

包/盒 ：  100-LQFP

供应商器件封装：  100-TQFP (14x20)

包装材料 ：  Tray

安装：  Surface Mount

定时类型：  Synchronous

包装宽度：  14.1(Max)

PCB：  100

筛选等级：  Industrial

地址总线宽度：  17

典型工作电源电压：  3.3

欧盟RoHS指令：  Compliant

密度：  4.5M

最低工作温度：  -40

供应商封装形式：  TQFP

标准包装名称：  QFP

最高工作温度：  85

最大时钟频率：  200

每字位数：  36

端口数：  4

包装长度：  20.1(Max)

最低工作电源电压：  3.135

引脚数：  100

最大工作电流：  210

包装高度：  1.45(Max)

数据速率架构：  SDR

Maximum Access Time ：  3.1

最大工作电源电压：  3.465

字数：  128K

铅形状：  Gull-wing

封装：  Tray

格式 - 存储器：  RAM

供应商设备封装：  100-TQFP (14x20)

内存类型：  SRAM - Synchronous

工作温度：  -40°C ~ 85°C

存储容量：  4.5M (128K x 36)

电压 - 电源：  3.135 V ~ 3.465 V

标准包装：  72

接口：  Parallel

速度：  200MHz

封装/外壳：  100-LQFP

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

组织：  128 k x 36

工厂包装数量：  72

产品种类：  SRAM

最大工作电流：  210 mA

系列：  IS61LPS12836A

安装风格：  SMD/SMT

电源电压 - 最大：  3.465 V

访问时间：  3.1 ns

最低工作温度：  - 40 C

封装/外壳：  TQFP-100

最大时钟频率：  200 MHz

电源电压 - 最小：  3.135 V

最高工作温度：  + 85 C

类型：  Synchronous

RoHS：  RoHS Compliant

地址总线：  17 b

工作温度范围：  -40C to 85C

包装类型：  TQFP

密度：  4718592 Bit

字长：  36 b

同步/异步：  Synchronous

工作温度分类：  Industrial

时钟频率（最大）：  200 MHz

建筑：  SDR

弧度硬化：  No

工作电源电压（典型值）：  3.3 V

工作电源电压（最小值）：  3.135 V

工作电源电压（最大值）：  3.465 V

访问时间（最大）：  3.1ns