型号: ISL9N303AP3_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 75 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0032 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 25 ns, 21 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 215 W
上升时间: 80 ns, 69 ns
典型关闭延迟时间: 35 ns, 51 ns
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：李茜
电话：13163724960
Q Q:
联系人：肖先生
电话：18681447610
Q Q:
联系人：王
电话：15914054985
Q Q:
联系人：廖元伟
电话：13520508180
Q Q:
