型号: ISL9N303AP3_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 75 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0032 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 25 ns, 21 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 215 W
上升时间: 80 ns, 69 ns
典型关闭延迟时间: 35 ns, 51 ns
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：连先生
电话：15920005840
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
