型号: ISL9N306AS3ST
功能描述: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns, 29 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 70 ns, 43 ns
系列: ISL9N306
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 34 ns, 62 ns
典型接通延迟时间: 16 ns, 10 ns
单位重量: 1.438 g
联系人：董先生
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