型号: ISL9N312AP3
功能描述: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 58 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 60 ns, 30 ns
系列: ISL9N312
工厂包装数量: 400
典型关闭延迟时间: 25 ns, 45 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 8 ns
单位重量: 2.240 g
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