型号: ISS55EP06LM
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):180mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 11?A 漏源导通电阻:5.5Ω @ 180mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 180mA
栅源极阈值电压: 2V @ 11?A
漏源导通电阻: 5.5Ω @ 180mA, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 400mW
类型: P沟道
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