型号: ISS55EP06LM
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 11?A 漏源导通电阻：5.5Ω @ 180mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 180mA
栅源极阈值电压: 2V @ 11?A
漏源导通电阻: 5.5Ω @ 180mA, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 400mW
类型: P沟道
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