型号: IXFA4N85X
功能描述: IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET IXFA4N85X, 3.5 A, Vds=850 V, 2 + Tab引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 3.5 A
最大漏源电压： 850 V
最大漏源电阻值： 2.5 0hms
最大栅阈值电压： 5.5V
最小栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 2 + Tab
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 150 W
典型接通延迟时间： 13 ns
典型关断延迟时间： 28 ns
典型输入电容值@Vds： 305 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 7 @ 10 V nC
系列： HiperFET
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 10.92mm
长度： 10.41mm
高度： 4.7mm
尺寸： 10.41 x 10.92 x 4.7mm
正向跨导： 2S
正向二极管电压： 1.4V
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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