型号: IXFA6N120P TRL
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 92nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2830pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.4 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263（IXFA）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：曾
电话：15814611016
Q Q:
联系人：马先生
电话：18927581781
Q Q:
联系人：许小姐
Q Q:
