型号: IXFB150N65X2
功能描述: MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 430 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: 650V Ultra Junction X2
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 56 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 88 ns
典型接通延迟时间: 62 ns
单位重量: 7.500 g
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13592753903
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
联系人：陈诚
电话：13319535224
Q Q:
