型号: IXFB40N110P
功能描述: MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.1 kV
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXFB40N110
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
下降时间: 54 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
单位重量: 1.600 g
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：马亿鑫
电话：18898652162
Q Q:
联系人：刘彦成
电话：13720726368
Q Q:
联系人：徐
电话：18098987658
Q Q:
