型号: IXFB62N80Q3
功能描述:
制造商: IXYS
系列： HiPerFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 62A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 6.5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 270nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 13600pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 1560W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 140 毫欧 @ 31A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
封装形式Package： PLUS
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 800V
连续漏极电流ID： 62A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
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电话：18124040553
Q Q:
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Q Q:
