型号: IXFE180N20
功能描述: MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: ISOPLUS-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 158 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.65 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFE180N20
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 36 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18689492468
Q Q:
联系人：韩
Q Q:
联系人：杨耀庚
电话：13265624065
Q Q:
