型号: IXFH60N20
功能描述: MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXFH60N20
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 63 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
单位重量: 6.500 g
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：吴优
电话：13544290005
Q Q:
联系人：李卫军
电话：18600323063
Q Q:
联系人：邓先生，李先生，雷先生，陈女士
电话：13143221770
Q Q:
