型号: IXFK150N10
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 360nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9000pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 75A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：洪先生
电话：83681378
Q Q:
联系人：但敏
电话：18372711485
Q Q:
联系人：李重金
电话：13110803697
Q Q:
