型号: IXFK48N50
功能描述: MOSFET DIODE Id48 BVdass500
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 26.16 mm
长度: 19.96 mm
系列: IXFK48N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.13 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 42 S
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 10 g
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈泽铭
Q Q:
联系人：包R
电话：18902446425
Q Q:
联系人：殷明明
电话：15900667628
Q Q:
