型号: IXFM12N90
功能描述: MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 18 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 20
商标名: HiPerFET
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18926082802
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
联系人：Aivi
Q Q:
