型号: IXFM21N50
功能描述: MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 21 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 20
商标名: HiPerFET
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：陈泽彪
电话：13751050097
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13590279456
Q Q:
联系人：蔡雪颖
电话：13798628598
Q Q:
