型号: IXFN-25N90
功能描述: MOSFET 25 Amps 900V 0.33 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 25 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 600 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227-4
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Source
下降时间: 24 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 35 ns
系列: IXFN25N90
工厂包装数量: 10
商标名: HyperFET
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 38 g
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