型号: IXFN26N90
功能描述: MOSFET 900V 26A
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 600 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN26N90
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 28 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 30 g
联系人:刘经理
电话:13381567868
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:Alien
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:柯耿豪
电话:15768115401
联系人:张静
Q Q:
联系人:刘女士
电话:15330234239