型号: IXFN30N120P
功能描述: MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN30N120
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 56 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 57 ns
单位重量: 30 g
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