型号:  IXFN320N17T2

功能描述:  MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Chassis Mount

封装 / 箱体:  SOT-227-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  170 V

Id-连续漏极电流:  260 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  640 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.07 kW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

系列:  IXFN320N17

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  GigaMOS Trench T2 HiperFet

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  120 S

下降时间:  230 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  170 ns

工厂包装数量:  10

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  115 ns

典型接通延迟时间:  46 ns

单位重量:  30 g