型号: IXFN32N120
功能描述: MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 32 A
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 780 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227-4
封装: Box
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Source
下降时间: 22 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 42 ns
工厂包装数量: 10
商标名: HiPerFET
典型关闭延迟时间: 98 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
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