型号: IXFN120N65X2
功能描述: MOSFET 650V/108A Ultra Junction X2-Class
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 108 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 225 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: 650V Ultra Junction X2
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 46 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 86 ns
典型接通延迟时间: 64 ns
单位重量: 30 g
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