型号: IXFN210N20P
功能描述: MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 188 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.07 kW
配置: Single
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN210N20
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
单位重量: 30 g
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