型号: IXFN240N15T2
功能描述: MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 240 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 460 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN240N15
类型: GigaMOS Trench T2 HiperFet
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 125 S
下降时间: 145 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 125 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 77 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
单位重量: 30 g
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