型号: IXFN50N120SK
功能描述: MOSFET SiC Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 115 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
单位重量: 30 g
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