IXFN80N60P3规格参数_IXFN80N60P3全国代理商/分销商

型号: IXFN80N60P3
功能描述: IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN80N60P3, 66 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 66 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 70 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： SOT-227B
安装类型：面板安装
引脚数目： 4
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 960 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 38.23mm
高度： 9.6mm
系列： HiperFET, Polar3
尺寸： 38.23 x 25.07 x 9.6mm
每片芯片元件数目： 1
典型栅极电荷@Vgs： 190 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 13100 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 87 ns
典型接通延迟时间： 48 ns
宽度： 25.07mm
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs