型号: IXFQ30N60X
功能描述: Mosfet n-Ch 600v 30a To3p
制造商: IXYS Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2270pF @ 25V
Vgs（最大值）: ±30V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 155 毫欧 @ 15A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔 1000
供应商器件封装: TO-3P
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
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