IXFQ94N30P3规格参数_IXFQ94N30P3全国代理商/分销商

型号: IXFQ94N30P3
功能描述: IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 94 A
最大漏源电压： 300 V
最大漏源电阻值： 36 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-3P
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.04 kW
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 15.8mm
高度： 20.3mm
系列： HiperFET, Polar3
宽度： 4.9mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 102 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 5510 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 49 ns
典型接通延迟时间： 23 ns
尺寸： 15.8 x 4.9 x 20.3mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs