型号: IXFR58N20Q
功能描述: MOSFET 50 Amps 200V 0.04 Rds
制造商: IXYS
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 40 mOhms
导通电阻: 40 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ISOPLUS 247
封装: Tube
商标: IXYS
下降时间: 13 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 40 ns
系列: IXFR58N20
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 40 ns
ROHS: 无铅
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