型号: IXFR58N20Q
功能描述: MOSFET 50 Amps 200V 0.04 Rds
制造商: IXYS
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 200 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 40 mOhms
导通电阻： 40 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： ISOPLUS 247
封装： Tube
商标： IXYS
下降时间： 13 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 300 W
上升时间： 40 ns
系列： IXFR58N20
工厂包装数量： 30
典型关闭延迟时间： 40 ns
ROHS： 无铅
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