型号:  IXFT320N10T2

功能描述:  MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-268-3

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  320 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  430 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1 kW

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  5.1 mm

长度:  16.05 mm

系列:  IXFT320N10

类型:  TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

宽度:  14 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  80 S

下降时间:  73 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  46 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  73 ns

典型接通延迟时间:  36 ns

单位重量:  6.500 g