型号: IXFT60N65X2HV
功能描述: IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET IXFT60N65X2HV, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-268HV封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 60 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 52 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最小栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： TO-268HV
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 780 W
典型接通延迟时间： 30 ns
典型关断延迟时间： 63 ns
典型输入电容值@Vds： 6300 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 108 @ 10 V nC
系列： HiperFET
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
宽度： 15.15mm
长度： 16.05mm
高度： 5.1mm
正向跨导： 38S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 16.05 x 15.15 x 5.1mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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