型号: IXFX120N20
功能描述: MOSFET 200V 120A
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFX120N20
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 77 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 7.300 g
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
联系人：陈焕槟
电话：13714761665
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13923864315
Q Q:
